MRAM

Les MRAM, ou mémoires vives magnétiques à accès aléatoire, désignent une technologie de stockage numérique de pointe issue des applications industrielles réelles de la spintronique, combinant la vitesse de traitement des mémoires RAM classiques avec la réversibilité et la non-volatilité des disques durs solides. La structure matérielle d’une cellule MRAM repose sur l’utilisation d’une jonction tunnel magnétique nanométrique composée de deux couches de métaux ferromagnétiques séparées par une barrière isolante mince d’une épaisseur nanométrique. L’information binaire est stockée de manière durable en modifiant l’orientation relative du spin des électrons au sein de ces couches, modifiant la résistance électrique en vertu de l’effet tunnel quantique. Insensibles aux rayonnements cosmiques perturbateurs, les MRAM sont idéales pour l’aérospatial et la sécurité des serveurs cloud.